斯坦雷电气株式会社风间拓也获国家专利权
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龙图腾网获悉斯坦雷电气株式会社申请的专利III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053864.8，技术领域涉及：C01B21/06；该发明授权III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法是由风间拓也;田村涉;三宅康之;森山健治;村松淳司;蟹江澄志设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供实质上不含杂质且量子效率高的III族氮化物纳米颗粒。在使含有1种或2种以上III族元素M的材料在液相中反应而合成颗粒尺寸为16nm以下的III族氮化物半导体纳米颗粒时，使用三甲基铟作为含有1种或2种以上III族元素M的材料中的至少一种III族元素材料，在纳米颗粒的合成反应之前，将三甲基铟溶解于配位系溶剂中而前体化，使该前体与其他III族元素材料和氮源在溶剂中、在非活性气氛下在300℃以上反应而合成纳米颗粒。
本发明授权III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在使含有1种或2种以上III族元素M的材料在液相中反应而合成颗粒尺寸为16nm以下的III族氮化物半导体纳米颗粒时，使合成温度为100℃以上，使用配位系溶剂，并且使用三甲基M作为含有所述1种或2种以上III族元素M的材料中的至少一种III族元素材料，使用金属酰胺作为氮材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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