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龙图腾网获悉芯合半导体公司申请的专利叠层电容器及其制作方法、存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310206683.5，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权叠层电容器及其制作方法、存储设备是由陈耿川设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本叠层电容器及其制作方法、存储设备在说明书摘要公布了：本发明涉及叠层电容器及其制作方法、存储设备。所述制作方法形成的叠层电容器连接电容连接节点，所述叠层电容器包括多层鳍片结构，所述多层鳍片结构包括水平鳍片和纵向鳍片。第一导电层覆盖所述多层鳍片结构表面从而第一导电层的表面面积较大，电容介电层覆盖第一导电层表面，第二导电层覆盖电容介电层，从而所述叠层电容器的电容量较大，便于满足需求。此外，所述制作方法在形成叠层膜后，采用自对准非等向性蚀刻以及等向性蚀刻处理所述叠层膜以获得所述多层鳍片结构，不需要光罩，也不需要进行额外的沉积工艺，制造成本较低。所述存储设备包括上述叠层电容器。

本发明授权叠层电容器及其制作方法、存储设备在权利要求书中公布了：1.一种叠层电容器的制作方法，其特征在于，包括： 提供电容连接节点，所述电容连接节点形成于一第一层间绝缘层表面； 形成第二层间绝缘层于所述电容连接节点和所述第一层间绝缘层上； 于所述第二层间绝缘层中形成贯通孔，所述贯通孔暴露所述电容连接节点； 于所述第二层间绝缘层表面和所述贯通孔内表面依次堆叠第一材料层和第二材料层并重复至少一次，形成一叠层膜； 利用所述第一材料层和所述第二材料层的刻蚀选择性，交替进行用于刻蚀所述第二材料层和用于刻蚀所述第一材料层的自对准非等向性蚀刻，去除各所述第二材料层的一部分和各所述第一材料层的一部分，剩余的所述叠层膜覆盖所述贯通孔的侧壁并暴露所述第二层间绝缘层和所述电容连接节点，各所述第一材料层具有朝上的暴露面和朝向所述贯通孔内的暴露面； 进行等向性蚀刻，回刻蚀所述叠层膜中各所述第一材料层以暴露各所述第二材料层的部分表面，形成连接于所述贯通孔侧壁的多层鳍片结构，所述多层鳍片结构包括由各所述第二材料层的一部分形成的水平鳍片和纵向鳍片；以及 依次形成第一导电层、电容介电层和第二导电层，所述第一导电层覆盖所述多层鳍片结构表面和所述贯通孔内被暴露的所述电容连接节点表面，所述电容介电层覆盖所述第一导电层表面，所述第二导电层覆盖所述电容介电层。

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