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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310184029.9，技术领域涉及：H03K3/84；该发明授权一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路是由耿庆典;梁燕;卢振洲设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个S型局部有源忆阻器、一个电容C、一个电阻R和一个直流电压源VD组成。S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器都是一种整体无源局部有源忆阻器，前者在直流V‑I特性曲线中呈现S型负微分电阻，后者在直流V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对S型局部有源忆阻器、N型局部有源忆阻器和电容构成的并联电路，施加合适的直流偏置，同时令S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器分别工作在负微分电阻区域和负微分电导区域，并使电路产生混沌现象，弥补了现有技术中基于局部有源忆阻器实现无电感混沌电路研究的空白。

本发明授权一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路在权利要求书中公布了：1.一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路，其特征在于：由N型局部有源忆阻器、S型局部有源忆阻器、电容C、电阻R和直流电压源VD组成，所述S型局部有源忆阻器与N型局部有源忆阻器并联之后再与电容C并联构成一个三阶系统电路，所述直流电压源VD与电阻R串联为三阶系统电路提供偏置，所述直流电压源VD负极接地，正极与电阻R的一端相连，所述电阻R的另一端与电容C的一端、S型局部有源忆阻器的正极以及N型局部有源忆阻器的正极相连，所述电容C的另一端与直流电压源VD的负极、N型局部有源忆阻器负极以及S型局部有源忆阻器的负极相连； 所述S型局部有源忆阻器的数学模型为： 其中i1，v1，x1分别是流经S型局部有源忆阻器的电流、S型局部有源忆阻器两端的电压和S型局部有源忆阻器的状态变量，α'0，β1'，α1，d0，d2都是常数，α1是展开系数，反映了状态变量x1的变化速率； 所述N型局部有源忆阻器数学模型的建立过程包括以下步骤： 步骤一、根据状态依赖的欧姆定律以及Chua提出的通用型忆阻器数学模型，得到通用压控型忆阻器的数学模型为： 其中i2，v2，x2分别为流经忆阻器的电流、忆阻器两端的电压和忆阻器的状态变量，GMx2为忆导值函数，g为状态变量x2的微分函数； 步骤二、令忆导函数gx2,v2＝-5-x2+2.5v2，得到的N型局部有源忆阻器数学模型： 其中G0＝1x10-4，结合式1和3可得到混沌电路的状态方程：

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