复旦大学;湖北江城实验室刘子玉获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;湖北江城实验室申请的专利三维电感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211701615.8，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权三维电感器的制备方法是由刘子玉;张卫;曾晓诗;汪洋;王浩;陈琳;孙清清设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维电感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维电感器的制备方法，包括：提供衬底，第一面上形成有环形沟槽；形成锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁，以形成三维电感器的磁芯；形成若干通孔至少部分环绕环形沟槽，通孔的深度大于或等于环形沟槽的深度，并在通孔内形成第一导线；在第一面形成若干第二导线连接第一导线；从第二面减薄衬底至暴露第一导线，并形成第二导线连接第一导线，第一导线及第二导线环绕磁芯并作为三维电感器的线圈。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
本发明授权三维电感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维电感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一面及第二面，所述第一面上形成有环形沟槽； 形成锆钛酸铅薄膜覆盖所述环形沟槽的内壁，以形成所述三维电感器的磁芯，并形成第一材料层覆盖所述锆钛酸铅薄膜并填充所述环形沟槽； 形成若干通孔至少部分环绕所述环形沟槽，所述通孔的深度大于或等于所述环形沟槽的深度，形成第一介质层覆盖所述通孔的内壁及所述第一面的锆钛酸铅薄膜，并在所述通孔内形成第一导线； 从所述第二面减薄所述衬底至暴露所述第一导线，在所述第二面及所述第一面分别形成若干第二导线顺次连接对应的第一导线，所述第一导线及所述第二导线环绕所述磁芯作为所述三维电感器的线圈。
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