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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310146637.0，技术领域涉及：H10K10/00；该发明授权基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片是由刘俊扬;刘文清;赵艺;赵骄阳;洪文晶设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片，包括硅基底、二氧化硅绝缘层、有机玻璃层、底电极、分子层、纳米粒子、顶电极；所述硅基底表面生长有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上铺设有所述有机玻璃层；所述底电极设置于所述有机玻璃层内且与所述二氧化硅绝缘层接触；所述分子层设置于所述底电极和所述有机玻璃层之间；所述纳米粒子的下部分穿过所述有机玻璃层后与所述分子层接触，所述纳米粒子的上部分暴露于所述有机玻璃层外；所述顶电极设置于所述有机玻璃层的上表面且与所述纳米粒子的上部分接触。

本发明授权基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片在权利要求书中公布了：1.基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片，其特征在于：包括硅基底、二氧化硅绝缘层、有机玻璃层、底电极、分子层、纳米粒子、顶电极； 所述硅基底表面生长有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上铺设有所述有机玻璃层；所述底电极设置于所述有机玻璃层内且与所述二氧化硅绝缘层接触；所述分子层设置于所述底电极和所述有机玻璃层之间；所述纳米粒子的下部分穿过所述有机玻璃层后与所述分子层接触，所述纳米粒子的上部分暴露于所述有机玻璃层外；所述顶电极设置于所述有机玻璃层的上表面且与所述纳米粒子的上部分接触； 所述底电极作为自组装单分子层集成芯片的漏极，所述顶电极作为自组装单分子层集成芯片的源极，所述分子层作为自组装单分子层集成芯片的介电层； 所述分子层含具有破坏性量子干涉效应的分子； 通过改变所述源极和所述漏极之间的电位差，使导电方式切换为分子辅助隧穿或电子直接隧穿，从而改变自组装单分子层集成芯片的电导，进而控制所述源极和所述漏极之间导通或断开； 所述自组装单分子层集成芯片通过以下方法制得： 将氧化硅片洗净、烘干，作为覆盖有二氧化硅绝缘层的硅基底； 在所述二氧化硅绝缘层的上表面旋涂光刻胶并烘干； 对所述光刻胶进行掩膜光刻、显影，从而在所述光刻胶显影出与第一掩膜模版相对应的底电极图案； 采用电子束蒸镀在所述二氧化硅绝缘层上表面对应所述底电极图案的区域生长铬层，然后，采用电子束蒸镀在铬层的上表面生长金薄膜，洗去光刻胶，得到与所述底电极图案相对应的底电极； 将带有所述底电极的所述硅基底浸入含具有破坏性量子干涉效应的分子溶液中，使所述底电极的外表面自组装所述分子层； 将金纳米粒子溶液滴加在所述分子层，使所述分子层的外表面沉积金纳米粒子； 在所述硅基底的上表面涂覆PMMA，使PMMA覆盖所述金纳米粒子，刻蚀PMMA使所述金纳米粒子的上部分暴露，制得所述有机玻璃层； 在所述有机玻璃层的上表面通过第二掩膜模版进行覆盖，所述第二掩膜模版设置有顶电极图案，采用电子束蒸镀在所述有机玻璃层的上表面生长金薄膜，得到所述顶电极。

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