大连理工大学许赫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310204060.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用是由许赫;黄宝玉;李晓干;李新雷;李曦设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用在说明书摘要公布了：本发明属于电子元器件技术领域，提供了一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用。该基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器由气敏材料和叉指电极板组成，气敏材料涂覆在叉指电极板表面。气敏材料成分为二硫化锡和三硫化二铟复合形成的纳米材料。本方法生产工艺简单，所得气敏材料对氨气表现出较高的灵敏度和快速的响应恢复。由于传统气体传感器的敏感材料多为金属氧化物，其工作温度过高，不仅增加了能量的消耗，也容易使元件性能降低，缩短使用寿命。本发明能够使气体传感器在室温下工作，这为便携式和可穿戴电子硬件设备的设计和制备提供了新方案。
本发明授权一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器，其特征在于，该氨气气体传感器主要由气敏材料以及叉指电极板组成，所述气敏材料涂覆在所述叉指电极板表面，涂覆厚度为20μm~80μm；所述的气敏材料成分为二硫化锡和三硫化二铟异质结复合纳米材料；所述二硫化锡和三硫化二铟异质结复合纳米材料是通过水热法在花状二硫化锡表面附着三硫化二铟构成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大连理工大学，其通讯地址为：116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励