武汉大学林乾乾获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310298570.2，技术领域涉及：H01L21/208；该发明授权一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用是由林乾乾;贾正林设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用，该硫化铋薄膜的制备方法，包括：提供Bi2S3前驱溶液；将Bi2S3前驱溶液涂布在基底上；将涂有Bi2S3前驱溶液的基底置于氮气氛围中，先低温退火至溶剂挥发完全，再于280±5℃退火至硫化铋薄膜表面缺陷消除。该方法制备得到的Bi2S3薄膜表面十分平整，只有约2nm的表面粗糙度，对于薄膜二极管器件的制备十分有利，可通过该方法在电子传输层上制备硫化铋薄膜，作为吸光活性层；然后在硫化铋薄膜上制备空穴传输层，进而获得高吸光能力、高载流子迁移率、高光暗电流比的二极管型光电探测器。
本发明授权一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二极管型光电探测器的制备方法，其特征在于，包括： 在SnO2电子传输层上制备硫化铋薄膜，作为吸光活性层： 按铋和硫的摩尔比为1：1.3~1：3将铋盐和硫脲溶于有机溶剂中，制成Bi2S3前驱溶液；所述Bi2S3前驱溶液中还添加有Zn2+； 将Bi2S3前驱溶液旋涂在SnO2电子传输层上； 将涂有Bi2S3前驱溶液的SnO2电子传输层置于氮气氛围中，先于100±5℃退火10~20min，再于280±5℃退火15~25min； 然后在硫化铋薄膜上制备spiro-OMeTAD空穴传输层。
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