上海华虹宏力半导体制造有限公司张博获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一次可编程复位存储阵列及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310475976.3，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权一次可编程复位存储阵列及其形成方法是由张博设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一次可编程复位存储阵列及其形成方法在说明书摘要公布了：一种一次可编程复位存储阵列及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底包括基底和有源区；在有源区上形成字线栅结构，字线栅结构包括若干第一注入部、第二注入部和无注入部；在有源区内形成源漏掺杂层；在第一注入部内形成第一注入层，第一注入层内具有第一离子；在第二注入部内形成第二注入层，第二注入层内具有第二离子，第一离子和第二离子的电学类型不同。由于第一离子和第二离子对晶体管结构的阈值电压调节程度不同，因此第一注入层和第二注入层的调节能够表征2种数据信息，加上无注入部也能够表征1种数据信息，使得一次可编程复位存储阵列中一个存储单元具有3种数据信息的存储选择，进而使得存储阵列中的数据信息的存储量有效提升。
本发明授权一次可编程复位存储阵列及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种一次可编程复位存储阵列的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的有源区； 在所述衬底上形成字线栅结构，所述字线栅结构覆盖所述有源区的部分顶部表面，所述字线栅结构包括若干第一注入部、若干第二注入部和若干无注入部； 在所述有源区内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有第一离子； 在所述第一注入部内形成第一注入层，所述第一注入层内具有所述第一离子； 在所述第二注入部内形成第二注入层，所述第二注入层内具有第二离子，所述第一离子的电学类型和所述第二离子的电学类型不同。
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