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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310130385.2，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管是由洪文晶;魏梦西;李晶;叶婧瑶设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管，所述单分子富勒烯场效应晶体管是由第一导电介质－富勒烯分子－第二导电介质组成的单分子结，其中所述第一导电介质作为场效应晶体管的漏极，所述第二导电介质作为场效应晶体管的源极，通过栅极电压调控实现对单分子结的电导进行调控，从而控制漏极和源极之间的开启或关断。本申请验证了基于量子干涉效应调控机制的单富勒烯分子场效应晶体管器件的可行性，为碳基电子学在晶体管中的应用开拓了新的思路和方向。

本发明授权基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管，其特征在于：所述单分子富勒烯场效应晶体管是由第一导电介质－富勒烯分子－第二导电介质组成的单分子结，其中所述第一导电介质作为场效应晶体管的漏极，所述第二导电介质作为场效应晶体管的源极，通过栅极电压调控实现对单分子结的电导进行调控，从而控制漏极和源极之间的开启或关断； 所述单分子富勒烯场效应晶体管作为场效应管的用途，通过栅极调控所述单分子富勒烯场效应晶体管的电导； 基于量子干涉效应调控所述单分子富勒烯场效应晶体管的电导； 通过栅极调控所述单分子富勒烯场效应晶体管的电导包括： 在栅极施加连续变化的电极电位，获取所述单分子富勒烯场效应晶体管的电导变化，得到所述单分子富勒烯场效应晶体管连续变化的电极电位下的最低电导和最高电导，以及最低电导对应的第一电压和最高电导对应的第二电压； 当对所述单分子富勒烯场效应晶体管的栅极施加所述第一电压时，对所述单分子富勒烯场效应晶体管的源极和漏极之间断开； 当对所述单分子富勒烯场效应晶体管的栅极施加所述第二电压时，对所述单分子富勒烯场效应晶体管的源极和漏极之间导通。

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