江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310137550.7，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED是由张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述N型半导体层包括依次层叠于所述本征GaN层上的第一SiInGaN层、第二SiInAlGaN层、第三SiInAlGaN层、第四SiAlGaN层和第五SiAlGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升发光亮度波长分布的均匀性，并且释放底层应力，提升发光二极管的抗静电能力，提升发光效率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层； 所述N型半导体层包括依次层叠于所述本征GaN层上的第一SiInGaN层、第二SiInAlGaN层、第三SiInAlGaN层、第四SiAlGaN层和第五SiAlGaN层； 所述第一SiInGaN层的Si掺杂浓度＞所述第二SiInAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第三SiInAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第四SiAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第五SiAlGaN层的Si掺杂浓度； 所述第一SiInGaN层的In掺杂浓度＞所述第二SiInAlGaN层的In掺杂浓度＞所述第三SiInAlGaN层的In掺杂浓度； 所述第二SiInAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第三SiInAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第四SiAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第五SiAlGaN层的Al掺杂浓度。
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