山东天岳先进科技股份有限公司陈延昌获国家专利权
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龙图腾网获悉山东天岳先进科技股份有限公司申请的专利一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116429869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310416296.4，技术领域涉及：G01N27/626；该发明授权一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法是由陈延昌;杨方慧;付健行;吴殿瑞;李宝盛;高宇晗;赵树春;宋生;杨晓俐;刘家朋设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法，属于碳化硅材料技术领域。该方法包括下述步骤：1将碳化硅晶片置于硫酸或盐酸溶液中浸泡，之后清洗得到待测晶片；2检测并对比所述待测晶片的第一表面和第二表面上的S元素或Cl元素含量，其中S元素或Cl元素含量高的表面为碳面，S元素或Cl元素含量低的表面为硅面。该方法适用于切割后、研磨后或者抛光后的导电型及半绝缘型碳化硅晶片，具有不受晶片尺寸的限制、对材料无损、技术方法简单、适应范围广、可靠性高等优点。
本发明授权一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法在权利要求书中公布了：1.一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法，其特征在于，包括下述步骤： 1将碳化硅晶片置于硫酸或盐酸溶液中浸泡，之后清洗得到待测晶片，硫酸溶液中硫酸的浓度为2-70wt%，盐酸溶液中盐酸的浓度为2-70wt%，浸泡时间不低于1min，浸泡温度为20-30℃； 2检测并对比所述待测晶片的第一表面和第二表面上的S元素或Cl元素含量，其中S元素或Cl元素含量高的表面为碳面，S元素或Cl元素含量低的表面为硅面。
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