浙江大学程然获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116456726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310378620.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法是由程然;陈冰;李雪阳;丁哲韬设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法，制造该结构首先在FeFET的样品上沉积一层氧化物钝化层，并在钝化层上刻蚀形成通孔，随后沉积金属底电极、氧化铪等阻变材料和顶电极金属，最后通过光刻和刻蚀加工形成原有FeFET端口上的MIM结构，完成RRAM和FEFET的集成，其逻辑功能实现通过半导体参数分析仪加电压观测输出电流电压进行测量验证。本发明利用FeFET在不同极化状态下的阈值电压差异以及RRAM的阻变特性，使得两者形成的集成结构可通过调节RRAM电阻来实现重构逻辑功能，该可重构逻辑门结构简单、电路面积小、功耗低且具有CMOS兼容性。
本发明授权基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门，其特征在于：由FeFET和RRAM两部分组成，所述FeFET包含有源、漏、栅三组电极，所述RRAM集成于FeFET的漏极之上，且自下而上依次由底电极层、阻变介电层和顶电极层组成； 所述可重构逻辑门利用FeFET在铁电层中存储的铁电极化状态作为一路输入，并将FeFET栅极所施加的电压作为另一路输入，从而实现双输入逻辑门的功能；此外该可重构逻辑门利用RRAM的阻变特性，将RRAM调整至合适阻值后作为FeFET的上拉电阻，从而实现不同逻辑功能，以体现其可重构性； 所述FeFET中的源极和漏极为与硅衬底形成欧姆接触的电极材料，该电极材料采用铝、镍、金或钨，栅极材料也采用铝、镍、金或钨； 所述RRAM中的电极层材料采用铝、钨、铂或钛，阻变介电层材料采用氧化钛、氧化锌、氧化铪或硒化锗。
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