华为技术有限公司焦慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种具有TFET的存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116649004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180086888.3，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权一种具有TFET的存储器是由焦慧芳;周雪;秦青;范鲁明;王校杰设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有TFET的存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种包含有隧穿场效应晶体管的存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器可以提高工作效率，以及可以降低操作电压，降低功耗。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底，衬底上具有存储单元，该存储单元不仅包括存储部分，还包括位于存储部分两侧的选通管和隧穿场效应晶体管TFET，且存储部分和隧穿场效应晶体管TFET共用控制栅。这样的话，该存储器是基于热空穴注入Hotholeinjection，HHI擦除方式实现擦除，另外，在TFET的调控下，可以降低擦除电压，降低存储器功耗。
本发明授权一种具有TFET的存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底；以及 至少一个存储单元，所述至少一个存储单元形成在所述衬底上，任一所述存储单元包括： 存储部分，包括： 沟道区，位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成在所述衬底中，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同； 电荷存储层，设置在所述衬底上且与所述衬底绝缘； 第一控制栅，设置在所述电荷存储层的远离所述衬底的一侧，且与所述电荷存储层绝缘； 隧穿场效应晶体管，包括: 所述第一掺杂区； 所述沟道区； 第二控制栅，设置在所述第一掺杂区上且与所述第一掺杂区绝缘，所述第二控制栅和所述第一控制栅为一体成型结构； 选通管，包括： 所述第二掺杂区； 所述沟道区； 第三控制栅，设置在所述第二掺杂区上且与所述第二掺杂区绝缘。
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