长鑫存储技术有限公司林家圣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆缺陷检测方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116777815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210225625.2，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权晶圆缺陷检测方法及设备是由林家圣设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆缺陷检测方法及设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种晶圆缺陷检测方法及设备，涉及半导体技术领域，上述方法包括：获取待测晶圆在经过目标站点之前检测到的第一缺陷图像与经过目标站点之后检测到的第二缺陷图像；在第一缺陷图像与第二缺陷图像的相同区域内选取若干个目标缺陷点；根据在第一缺陷图像与第二缺陷图像中选取的目标缺陷点，确定第一缺陷图像与第二缺陷图像之间的差异缺陷点数量。本公开实施例通过采用抽样检测方式，不需要对所有的缺陷点进行对比，因此可以有效降低晶圆缺陷检测过程中的计算量，降低检测成本。
本发明授权晶圆缺陷检测方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括： 获取待测晶圆在经过目标站点之前检测到的第一缺陷图像与经过所述目标站点之后检测到的第二缺陷图像； 在所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像的相同区域内选取若干个目标缺陷点； 根据在所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像中选取的目标缺陷点，确定所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像之间的差异缺陷点数量； 所述根据在所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像中选取的目标缺陷点，确定所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像之间的差异缺陷点数量，包括： 当所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像中的缺陷点均满足预设的均匀分布条件或稀疏分布条件时，确定在所述第一缺陷图像选择的第一区块与在所述第二缺陷图像选择的第二区块中位置相同的第一目标缺陷点； 将所述第二区块中除所述第一目标缺陷点之外的目标缺陷点确定为所述第一区块与所述第二区块之间的差异缺陷点； 根据所述第一区块与所述第二区块之间的差异缺陷点的数量、所述第二区块对应的加权系数以及所述第二缺陷图像划分的区块个数，确定所述第一缺陷图像与所述第二缺陷图像之间的差异缺陷点数量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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