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中南大学;湖南宸星新材料研究院有限公司杨娟获国家专利权

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龙图腾网获悉中南大学;湖南宸星新材料研究院有限公司申请的专利纳米硅及其热-冷封闭耦合处理方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116969463B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210429379.2,技术领域涉及:C01B33/02;该发明授权纳米硅及其热-冷封闭耦合处理方法和应用是由杨娟;胡挺杰;周向阳;唐晶晶;张亚光设计研发完成,并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

纳米硅及其热-冷封闭耦合处理方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于电池材料领域,具体涉及一种纳米硅热‑冷封闭耦合处理方法,将纳米硅装填、密封在导热容器内,随后对所述的导热容器进行二次传热梯度热处理,随后置于冷却介质体系中进行骤冷处理,最后经后处理、洗涤、干燥处理,制得处理后的纳米硅;所述的梯度热处理过程包括2~5段保温平台,其中,起始段保温平台的温度为200~300℃;最后段保温平台的温度为800~1200℃;所述的导热容器的器壁材料的熔点温度大于或等于1400℃,导热系数大于或等于100Wm·K。本发明还包括所述的制备方法制得的硅材料及其在电池中的应用。本发明所述的制备方法能够显著改善制得的材料的电化学性能。

本发明授权纳米硅及其热-冷封闭耦合处理方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种纳米硅热-冷封闭耦合处理方法,其特征在于,将纳米硅装填、密封在导热容器内,随后对所述的导热容器在惰性气体的气氛内进行二次传热梯度热处理,随后置于冷却介质体系中进行骤冷处理,最后经后处理、洗涤、干燥处理,制得处理后的纳米硅; 所述的梯度热处理过程包括2~5段保温平台,其中,起始段保温平台的温度为200~300℃;最后段保温平台的温度为800~1200℃; 所述的导热容器的器壁材料的熔点温度大于或等于1400℃,导热系数大于或等于100Wm·K。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学;湖南宸星新材料研究院有限公司,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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