闽都创新实验室陈昭获国家专利权
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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117039616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310979701.3，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法是由陈昭;张立宇;项平林;钟杏丽;林中晞;苏辉设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，垂直腔表面发射激光器包括由下至上依次设置的衬底、n‑DBR、有源层、p‑DBR和p‑Cap；p‑Cap上设置有环形的接触电极，接触电极内部设置有出光口中心区，接触电极和出光口中心区之间的区域为环形区；p‑Cap和接触电极上方覆盖有第一介质层，且中心区或环形区上方未覆盖第一介质层；第一介质层上方覆盖第二介质层，且第二介质层覆盖中心区和环形区；第一介质层和第二介质层的材料相同。本发明无需在外延片的表面刻蚀，使得外延片整体结构得以保留，表层含Al层无暴露风险，器件的制作工艺更加的稳健，而且具有更强的普适性。
本发明授权一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔表面发射激光器，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、n-DBR21、有源层22、p-DBR23和p-Cap24；所述p-Cap24上设置有环形的接触电极25，所述接触电极25内部设置有出光口中心区，所述接触电极25和所述出光口中心区之间的区域为环形区；所述p-Cap24和所述接触电极25上方覆盖有第一介质层26，且所述中心区或所述环形区上方未覆盖所述第一介质层26；所述第一介质层26上方覆盖第二介质层27，且所述第二介质层27覆盖所述中心区和所述环形区；所述第一介质层26和所述第二介质层27的材料相同。
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