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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117086489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311073609.7，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜及其制备方法是由黄振龙;谢鸿炜;林媛;万佳伟;周瑞设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜及其制备方法，属于抗拉伸压阻式薄膜制备技术领域。本发明以模板法制备敏感材料，通过粘合剂将电极层粘连在敏感材料上；再该制备流程中通过使用糖或者盐得到多孔结构。由于横向拉伸的干扰，多孔结构会出现相应的横向变化而导致电阻发生改变，因此，本申请通过使用激光刻蚀掉岛间的敏感材料，并使岛间电极通过曲形线相连，同时在岛间填充0模量的硅油使得拉伸应变转移到岛间而不影响剩余的敏感材料，从而具有良好的抗拉伸效果。

本发明授权一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于激光选择性刻蚀的抗拉伸压阻式薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤： 步骤1.制备NaCl粉末：将无水NaCl晶体1:5到1:6溶于水中后蒸发结晶再研磨得到NaCl粉末； 步骤2.制备压阻式薄膜：将聚二甲基硅氧烷与CNT按照100:3到100:4搅拌混合超声30分钟到40分钟后，加入固化剂搅拌混合，其中，CNT为碳纳米管，固化剂:聚二甲基硅氧烷为1:10到1:12；再按照聚二甲基硅氧烷:NaCl=1:3到1:4加入研磨好的NaCl粉末搅拌均匀后填充到6cm×6cm×1mm到7cm×7cm×1mm的玻璃凹槽内140℃到150℃加热3到4分钟固化后取出，而后放入去离子水中浸泡10小时到12小时，去除NaCl，再放于烘箱中50℃到60℃烘30到40分钟；该方法中比例都为质量比； 步骤3.制作电极：将5cm×5cm到6cm×6cm的水溶胶带无粘性那面粘于等大的热释放胶带上然后撕去覆膜，将等大的4微米到10微米厚铜箔粘在水溶胶带上，用紫外激光按照指图案切割铜箔，而后撕去多余部分保留电极； 步骤4.制备粘合剂：将硅橡胶与CNT按照100:6到100:8混合搅拌均匀； 步骤5.用粘合剂将电极粘于压阻薄膜上，薄膜上下两面电极相互垂直，140℃到150℃加热3到4分钟使粘合剂固化同时热释放胶带释放，用水流去除水溶胶带后放于烘箱50℃到60℃干燥30到40分钟后取出； 步骤6.激光选择性刻蚀：用红外激光刻蚀掉无铜覆盖的压阻薄膜部分，刻蚀一面后翻转刻蚀另一面，蛇形电极部分上的压阻薄膜被刻蚀而不刻蚀掉蛇形电极，使岛电极部分下的压阻薄膜孤立； 步骤7.封装：硅橡胶在400到500转速下旋涂1.5到2分钟，制作两片，将薄膜的一面置于其一上140℃到150℃加热3到4分钟固化后取下，再将薄膜的另一面置于另外一片后重复加热、固化后取下； 步骤8.岛间低模量材料填充：用注射器将模量为0的硅油注入进薄膜内，得到抗拉伸压阻式薄膜。

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