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龙图腾网获悉华中科技大学;国家电网有限公司;中国电力科学研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司营销服务中心申请的专利一种电子高收集率的法拉第筒获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117148415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310938858.1，技术领域涉及：G01T1/29；该发明授权一种电子高收集率的法拉第筒是由李冬;焦强;李小飞;陈德智;左晨;周峰;殷小东;雷民;鲍进设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子高收集率的法拉第筒在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电子高收集率的法拉第筒，包括收集腔体、永磁铁及粒子入射通道；收集腔体内部靠近侧壁的位置设有斜面，使收集腔体内部形成了入口至收集腔体内底部体积逐渐增大的锥形空间，用于改变收集腔体内粒子的撞击运动方向；永磁铁设于收集腔体的外部，并能够产生磁场，用于改变收集腔体内入射电子及二次电子的运动轨迹；粒子入射通道设于收集腔体的入口处；粒子入射通道第一端连通收集腔体的入口，第二端设有抑制电极，抑制电极设于粒子入射通道第二端的前端。本发明的优点是，能够使电子撞击在侧壁斜面，减少向杯口方向发射的反射电子，通过设置的永磁铁改变电子路径，减少逸出，提高电子收集效率。

本发明授权一种电子高收集率的法拉第筒在权利要求书中公布了：1.一种电子高收集率的法拉第筒，其特征在于，包括： 收集腔体，其内部靠近侧壁的位置设有斜面，使所述收集腔体内部形成了入口至收集腔体内底部体积逐渐增大的锥形空间，用于改变收集腔体内粒子的撞击运动方向； 永磁铁，其设于所述收集腔体的外部，并能够产生磁场，用于改变收集腔体内入射电子及二次电子的运动轨迹； 粒子入射通道，其设于所述收集腔体的入口处；所述粒子入射通道第一端连通所述收集腔体的入口，第二端设有抑制电极，所述抑制电极设于所述粒子入射通道第二端的前端； 所述收集腔体的形状及尺寸根据电子束的参数和磁场强度进行确定；腔体大小确定的方式为，根据电子束的能量计算得出磁刚度Br，其计算公式为： 其中电子束能量为W，其单位为MeV；为电子的静止能量，其值为511keV；z为电子的电荷数，其值为1，Br单位为T·m； 假设磁场均匀的情况下，若电子偏转角度小于90度，腔体长度L和腔体半径R需要满足： 其中r为电子偏转半径，为电子与腔体侧壁撞击时的反向夹角；如果偏转角度大于90度时，腔体长度L和腔体半径R需要满足：； 若电子偏转角度小于90度，磁场B和腔体半径R的关系表示为：。

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