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湖南大学;湖南创一电子科技股份有限公司杨鑫获国家专利权

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龙图腾网获悉湖南大学;湖南创一电子科技股份有限公司申请的专利一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117198432B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311028801.4,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法是由杨鑫;郑皓斌;陈钰凯;苏立良设计研发完成,并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法在说明书摘要公布了:一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法,包括以下步骤:1控制预应力和环境温度不变,得到考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型;2控制磁感应强度幅值和环境温度不变,得到考虑预应力因素的损耗模型;3控制磁感应强度幅值和预应力不变,得到考虑环境温度因素的损耗模型;4根据考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型、考虑预应力因素的损耗模型及考虑环境温度因素的损耗模型,得到考虑磁感应强度幅值、预应力、环境温度因素的损耗模型。本发明可对不同磁感应强度幅值、预应力以及环境温度下的磁能损耗进行准确计算,相对误差小。

本发明授权一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法在权利要求书中公布了:1.一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法,其特征在于:包括以下步骤: 1控制预应力和环境温度不变,得到考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型; 其中,p表示稀土超磁致伸缩材料的磁能损耗,Bm表示磁感应强度幅值,kh表示磁滞损耗系数,ke表示涡流损耗系数,ka表示异常损耗系数,f表示频率; 与磁感应强度幅值有关的损耗系数khBm、keBm、kaBm的函数表达式: 其中,m0~m4为磁滞损耗系数与磁感应强度幅值有关的附加参数,n0~n4为涡流损耗系数与磁感应强度幅值有关的附加参数,l0~l4为异常损耗系数与磁感应强度幅值有关的附加参数; 2控制磁感应强度幅值和环境温度不变,得到考虑预应力因素的损耗模型; 与预应力有关的损耗系数khσ、kaσ的函数表达式: 其中,g0、g1和g2是磁滞损耗系数与预应力有关的附加参数,h0、h1和h2是异常损耗系数与预应力有关的附加参数; 3控制磁感应强度幅值和预应力不变,得到考虑环境温度因素的损耗模型; 与环境温度有关的损耗系数khΔT、keΔT、kaΔT的函数表达式: 其中,u0和u1是磁滞损耗系数与环境温度有关的附加参数,v0和v1是涡流损耗系数与环境温度有关的附加参数,w0和w1是磁滞损耗系数与环境温度有关的附加参数; 4根据考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型、考虑预应力因素的损耗模型及考虑环境温度因素的损耗模型,得到考虑磁感应强度幅值、预应力、环境温度因素的损耗模型:

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学;湖南创一电子科技股份有限公司,其通讯地址为:410006 湖南省长沙市麓山南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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