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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器的制备方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117279396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310730796.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权存储器的制备方法及存储器是由冯道欢;蒋懿;肖德元设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器的制备方法及存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器的制备方法及存储器，该方法包括：形成第一半导体结构，其包括存储阵列和第一键合层，存储阵列包括垂直晶体管阵列、存储单元阵列以及多条位线，多个存储单元的第一端与多个垂直晶体管的第一端对应耦接，多条位线与多个垂直晶体管的第二端对应耦接，第一键合层位于多条位线的一侧；形成第二半导体结构，其包括第二衬底、位于第二衬底上的第二键合层以及位于第二衬底内的剥离层；将第一键合层和第二键合层键合；在剥离层对第二衬底分离，保留位于剥离层和第二键合层之间的部分作为有源层；形成外围电路和互连结构，外围电路至少部分位于有源层中，外围电路通过互连结构与存储阵列耦接。本公开的制备方法能提高存储器的密度。

本发明授权存储器的制备方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括： 形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括存储阵列和第一键合层，所述存储阵列包括垂直晶体管阵列、位于所述垂直晶体管阵列的一侧的存储单元阵列以及位于所述垂直晶体管阵列的另一侧的多条位线，所述存储单元阵列中的多个存储单元的第一端与所述垂直晶体管阵列中的多个垂直晶体管的第一端对应耦接，所述多条位线与所述多个垂直晶体管的第二端对应耦接，所述第一键合层位于所述多条位线的远离所述垂直晶体管阵列的一侧； 形成第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二键合层以及位于所述第二衬底内的剥离层； 将所述第一键合层和所述第二键合层键合，以使所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合； 在所述剥离层对所述第二衬底进行分离，保留所述第二衬底的位于所述剥离层和所述第二键合层之间的部分作为有源层； 形成外围电路和互连结构，所述外围电路至少部分位于所述有源层中，所述互连结构包括至少贯穿所述有源层、所述第二键合层和所述第一键合层的接触插塞，所述外围电路至少部分通过所述接触插塞与所述存储阵列耦接。

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