中国航空制造技术研究院孙刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国航空制造技术研究院申请的专利磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210892600.8，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法是由孙刚;马国佳;刘星;余庆陶;张昊泽;马贺;王达望设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及表面工程技术领域，特别是涉及一种磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法。本发明提供了一种DLC膜的制备装置及方法，本发明采用含双层栅网的PECVD装置，首先采用磁控溅射法制备金属过渡层，实现了基体到DLC涂层的良好过渡，并结合双层栅网结构以获得致密结构的DLC膜层，从而实现兼具良好抗腐蚀和耐摩擦性能的DLC膜层的制备。
本发明授权磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法在权利要求书中公布了：1.磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置，其特征在于：包括真空室、设置在真空室内的工件架转盘、双层栅网、高压脉冲电源、偏压电源、氩气输入端口及阴极靶； 所述双层栅网包括屏栅和加速栅，屏栅与高压脉冲电源正极连接，加速栅与高压脉冲电源的负极连接，双层栅网固定设置在工件架转盘上，双层栅网与真空室之间、屏栅与加速栅之间、以及加速栅与待镀工件之间保持绝缘； 偏压电源的正极与真空室连接，真空室接地，偏压电源的负极与待镀工件连接，待镀工件固定设置于工件架转盘上，且位于双层栅网的内侧； 阴极靶设置于真空室侧壁且位于双层栅网外侧； 其中，屏栅作为放电室阳极吸收电子同时过滤掉部分低能粒子，而穿过屏栅的带电粒子作为沉积源经过加速栅加速后具有较高的能量，这些高能的粒子沉积到工件上从而形成致密连续的膜层。
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