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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种扇出封装结构及扇出封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117747594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311667379.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种扇出封装结构及扇出封装方法是由胡川;燕英强;向迅设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扇出封装结构及扇出封装方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出封装结构及扇出封装方法，涉及存储器芯片领域。该扇出封装结构包括：芯片、内衬基板、贴片层、包封层、绝缘支撑层、互连线、封装引脚、第一导电层以及第二导电层。该扇出封装结构采用扇出封装方法制备而成，通过各个导电层进行电信号传递，无需在芯片上开设硅通孔，降低了工艺难度，提高了生产效率，降低了成本；并且芯片贴装在内衬基板的两侧，无需通过热压键合固定，可以降低制造成本并提高散热能力，使得产品性能也能得到提升。

本发明授权一种扇出封装结构及扇出封装方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括： 芯片110、内衬基板120、贴片层130、包封层140、绝缘支撑层150、互连线160、封装引脚170、第一导电层180以及第二导电层190； 其中，所述内衬基板120的一侧形成有贴片区域121，所述贴片层130以及所述芯片110均容置于所述贴片区域121，所述内衬基板120开设有贯穿孔122，所述贯穿孔122容置有所述绝缘支撑层150，所述绝缘支撑层150覆盖于所述内衬基板120表面，并露出所述贴片区域121，所述绝缘支撑层150高于所述贴片区域121，所述绝缘支撑层150贯穿设置有第一导电孔151，所述第一导电孔151内填充有所述第一导电层180； 所述芯片110相对设置有功能面111和非功能面112，所述功能面111设置有芯片引脚焊盘113，所述贴片层130同时与所述非功能面112以及所述内衬基板120的一侧接触； 所述包封层140用于包封所述芯片110、所述绝缘支撑层150以及所述内衬基板120，所述包封层140开设有第二导电孔141，并露出所述芯片引脚焊盘113以及所述第一导电层180，所述第二导电孔141内填充有所述第二导电层190，所述第二导电层190与所述芯片引脚焊盘113以及所述第一导电层180电连接； 所述互连线160设置于所述包封层140的表面，所述互连线160同时与所述第二导电层190以及所述封装引脚170电连接； 所述内衬基板120的两侧均形成有所述贴片区域121，每个所述贴片区域121均容置有所述贴片层130以及所述芯片110，所述包封层140的两侧均开设有所述第二导电孔141并设置有所述互连线160；所述芯片110与所述绝缘支撑层150之间存在间隙，所述包封层140填充于所述间隙。

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