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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117751427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180100998.0，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置是由陈庆煌;黄雪维;张日清;常文瑞设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置。自对准四重图案化半导体装置的制作方法包括：在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。

本发明授权自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种自对准四重图案化半导体装置的制作方法，其特征在于，包括： 在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层，所述第一图案化硬掩膜层包括第一图案化牺牲层和覆盖所述第一图案化牺牲层全部侧壁的第一侧壁层； 对所述第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层； 基于所述第二图案化硬掩膜层为掩膜对所述第二抗反射层和所述第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层； 去除所述第二图案化硬掩膜层和所述第二抗反射层，并基于所述第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层，所述第三图案化硬掩膜层包括所述第二图案化牺牲层和覆盖所述第二图案化牺牲层全部侧壁的第二侧壁层； 对所述第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层； 基于所述第四图案化硬掩膜层为掩膜对所述第一抗反射层和所述待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层； 去除所述第四图案化硬掩膜层和所述第一抗反射层。

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