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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410005638.8，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件是由贺健民;王康;张关保;张彪设计研发完成，并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件，包括N型硅衬底，N型硅衬底的正面形成有P型外延层，背面形成有背面金属层，在其内部还设有深槽金属连接孔；深槽金属连接孔内均填充有金属铝，且其一端与背面金属层相接，另一端深入P型外延层内，形成短路孔结构；P型外延层上设置有N型外延层，P型外延层和N型外延层之间设置有N型埋层；N型外延层上形成有P型重掺杂区和隔离深沟槽；隔离深沟槽依次穿过N型埋层和P型外延层，深入至N型硅衬底内；P型重掺杂区与正面金属层相接；P型重掺杂区和N型外延层上形成有介质层。本发明结构简单、成本低、ESD和浪涌防护能力强，满足应用的需求。

本发明授权一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件，其特征在于：包括N型硅衬底101，所述N型硅衬底101的正面形成有P型外延层102，背面形成有背面金属层110，在其内部还间隔设有多个深槽金属连接孔109；多个深槽金属连接孔109内均填充有金属铝，且其一端与背面金属层110相接，另一端伸出N型硅衬底101正面，深入P型外延层102内，形成短路孔结构； 所述P型外延层102上设置有N型外延层104，所述P型外延层102和N型外延层104之间设置有N型埋层103；所述N型外延层104上形成有P型重掺杂区105，以及位于P型重掺杂区105两侧的隔离深沟槽106； 所述隔离深沟槽106向下延伸，依次穿过N型埋层103和P型外延层102，深入至N型硅衬底101内；所述P型重掺杂区105与正面金属层108相接；所述P型重掺杂区105和N型外延层104上形成有介质层107，所述介质层107位于正面金属层108周围； 所述正面金属层108与P型重掺杂区105相接为SCR器件的阳极Anode引出；所述背面金属层110与N型硅衬底101相接为SCR器件的阴极Cathode引出。

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