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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117835735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311713250.5，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权显示面板及其制备方法是由洪日;陆炜设计研发完成，并于2023-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板、像素定义层、辅助电极层、发光层和阴极层。辅助电极层包括多个辅助电极部，辅助电极部包括远离阵列基板一侧的第一顶面以及连接第一顶面的第一侧壁；发光层覆盖像素定义层远离阵列基板的一侧以及辅助电极部的第一顶面上，发光层暴露出辅助电极部的第一侧壁；阴极层覆盖发光层远离阵列基板的一侧且覆盖第一侧壁。本发明中的发光层采用旋涂工艺制备形成，辅助电极层无需形成底切结构，在保证实现降低阴极层的电阻的前提下，有利于降低工艺复杂性，节省了制程，降低了成本。

本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供一阵列基板； 在所述阵列基板一侧形成像素定义层，所述像素定义层包括多个堤坝部以及位于相邻两个所述堤坝部之间的像素开口； 在所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧形成辅助电极层，所述辅助电极层包括与所述多个堤坝部一一对应设置的多个辅助电极部，所述辅助电极部包括远离所述阵列基板一侧的第一顶面以及连接所述第一顶面的第一侧壁； 采用旋涂工艺形成覆盖所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧以及所述辅助电极部的所述第一顶面的第一发光材料层，所述第一发光材料层暴露出所述辅助电极部的所述第一侧壁； 形成覆盖所述第一发光材料层远离所述阵列基板的一侧以及暴露出的所述辅助电极部的所述第一侧壁靠近所述像素开口的一侧的阴极材料层； 形成覆盖所述阴极材料层的封装材料层；以及 采用一道黄光制程对所述封装材料层、所述阴极材料层和所述第一发光材料层进行图案化处理，去除未与待形成的第一发光部对应的所述封装材料层、所述阴极材料层和所述第一发光材料层的部分，以形成所述第一发光部以及与所述第一发光部对应的第一阴极部和第一封装部。

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