上海大学王廷云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利S+C+L波段超宽带增益有源光纤获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117849937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311726561.5，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权S+C+L波段超宽带增益有源光纤是由王廷云;刘泓余;董艳华;文建湘设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本S+C+L波段超宽带增益有源光纤在说明书摘要公布了：本发明公开了S+C+L波段超宽带增益有源光纤，光纤由内向外依次包括内芯层、内包层、芯层、疏松层和包层，内芯层中掺有Tm离子，内包层中掺有F元素，芯层中掺杂有Er离子，疏松层中掺有Bi、Al和P离子。在光纤结构中，内芯层的Tm离子被F元素形成的内包层完全包裹，使Tm离子处于F元素提供的低声子能量环境中，提高其S波段发光效率。芯层被疏松层与内包层中包覆，阻断了芯层中Er离子与内芯层中的Tm离子接触，降低能量转移概率，减小Tm离子和Er离子之间的相互影响，提高Er离子和Tm离子在S、C、L波段的发光效率。
本发明授权S+C+L波段超宽带增益有源光纤在权利要求书中公布了：1.一种S+C+L波段超宽带增益有源光纤，其特征在于：光纤由内向外依次包括内芯层、内包层、芯层、疏松层和包层，内芯层、内包层、芯层及疏松层构成纤芯，内芯层中掺有Tm离子，内包层中掺有F离子，芯层中掺有Er离子；Er离子掺杂浓度范围控制在0.01~4mol%；Tm离子掺杂浓度范围控制在0.01~2mol%；F离子掺杂浓度范围控制在0.01~1mol%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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