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龙图腾网获悉新阳硅密(上海)半导体技术有限公司申请的专利一种采用晶圆清洗设备的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117884404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211228692.6，技术领域涉及：B08B3/02；该发明授权一种采用晶圆清洗设备的清洗方法是由史蒂文·贺·汪;王铮设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用晶圆清洗设备的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种采用晶圆清洗设备的清洗方法，首先，通过喷淋组件射流的动能冲击晶圆表面，以将晶圆表面微细结构内残留的药液冲刷出来；其次，通过清洗液的不断溢流以及对晶圆表面及电镀夹具侧面进行持续冲洗，提高晶圆表面及电镀夹具侧面洁净度，且此阶段利用底进水口、底排水口和集液溢流槽实现清洗液的快进快出，由此使工艺腔体内的液体迅速达到PH中性，防止工艺腔体被污染；最后，通过侧进水组件对电镀夹具侧面进行冲洗，弥补了传统清洗工艺无法兼顾清洗电镀夹具侧面的缺点。通过上述步骤的结合，本发明克服了现有清洗工艺所存在的排水速度慢、清洗不完全且不彻底等缺陷，确保了晶圆表面洁净度，保障了半导体器件的性能。

本发明授权一种采用晶圆清洗设备的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种采用晶圆清洗设备的清洗方法，其特征在于，所述晶圆清洗设备包括工艺腔体，工艺腔体包括清洗槽和环绕清洗槽设置的集液溢流槽，集液溢流槽下接溢流排水口；清洗槽的底部设置有底进水口、底排水口和喷淋组件，工艺腔体内侧壁上部设置有侧进水组件，侧进水组件包括沿工艺腔体内侧壁圆周方向设置的若干个侧进水口，所述清洗方法包括如下步骤： S10、使电镀夹具夹持晶圆进入工艺腔体内部，开启喷淋组件及底排水口，喷淋组件向电镀夹具底部喷淋清洗液，清洗废液通过底排水口排出，保持第一预设时间后，关闭喷淋组件及底排水口； S20、保持电镀夹具保护壳边缘稍高于集液溢流槽上边缘，通过底进水口向清洗槽内注入清洗液，使清洗液通过集液溢流槽溢流排放，保持第二预设时间后，关闭底进水口并开启底排水口，使清洗槽内的清洗废液排出； S30、使电镀夹具保护壳边缘稍高于侧进水组件的侧进水口，开启侧进水组件，侧进水组件向电镀夹具保护壳边缘以下的侧面喷淋清洗液，清洗废液通过底排水口和或集液溢流槽排放，保持第三预设时间后，关闭侧进水组件，完成清洗。

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