湘潭宏大真空技术股份有限公司陈立获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭宏大真空技术股份有限公司申请的专利一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117943260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211351268.0，技术领域涉及：B05D3/04；该发明授权一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法是由陈立;郑学军;李新栓;李俊杰;寇立;贺楚才;孙桂红;黄乐;薛闯设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。本发明在AR膜表面通过微刻蚀叠加石墨轰击处理，得到了高耐磨性、高寿命、AR和AF之间附着力强的AR+AF膜，并且产品的光学性能不会受到影响，所述方法适用于不同基材的最外层为SiO2的各种材质各种厚度的AR。
本发明授权一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，其特征在于，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜，基片上AR膜层的最外层为SiO2， 刻蚀时通过控制气体流量、离子源的电源功率和刻蚀时间实现对所述AR膜层表面的不同厚度的刻蚀处理，当刻蚀后的AR膜的光谱反射率达到设定范围、水滴角大于100度即完成刻蚀；石墨轰击时通过控制Ar和O2的流量比例、电源功率和处理时间实现对AR膜层表面的不同程度的处理，其中，Ar和O2的流量比例大于75%，当水滴角达到10°以下即完成石墨轰击。
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