广州增芯科技有限公司罗志颖获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410208655.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法是由罗志颖设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法，包括基板、芯片主体、MIM电容器、封装层、金属凸块以及绝缘填充胶；所述封装层设置有若干通孔贯穿所述封装层，通过至少若干所述通孔露出所述芯片主体的金属垫，所述金属凸块设置于所述通孔内并电性连接至所述基板，所述基板与所述金属凸块之间填充所述绝缘填充胶；所述MIM电容器设置于所述封装层与所述绝缘填充胶之间，并位于至少两个所述金属凸块之间；本发明通过将MIM电容器设置在封装层中，并位于至少两个所述金属凸块之间，从而充分利用了封装层中金属凸块和金属凸块之间的空间，能在节省芯片主体的金属布线资源的同时扩大MIM电容器的使用面积，增加MIM电容器的容值。
本发明授权一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装芯片结构，其特征在于，包括基板、芯片主体、MIM电容器、封装层、金属凸块以及绝缘填充胶；所述封装层设置有若干通孔贯穿所述封装层，通过至少若干所述通孔露出所述芯片主体的金属垫，所述金属凸块设置于所述通孔内并电性连接至所述基板，所述基板与所述金属凸块之间填充所述绝缘填充胶； 所述MIM电容器设置于所述封装层与所述绝缘填充胶之间，并位于至少两个所述金属凸块之间； 所述MIM电容器包括与所述封装层相背离依次堆叠的第一电极金属层、第一介质层、第二电极金属层；所述第一电极金属层为MIM电容器的下极板，第二电极金属层为MIM电容器的上极板，所述上极板和所述下极板一端分别延伸至所述金属凸块与所述金属垫之间，且所述下极板延伸的一端与一所述通孔内的金属垫和金属凸块电性连通，所述上极板延伸的一端与另一所述通孔内的金属凸块电性连通。
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