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龙图腾网获悉杭州泽达半导体有限公司申请的专利一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410369196.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置是由刘硕;角谷昌纪设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置，涉及到半导体技术领域，其半导体刻蚀方法包括以下步骤：S1：清洁刻蚀区域的刻蚀产物，将待刻蚀的晶圆片放入刻蚀装置中，晶圆片上形成了掩膜层；S2：使用刻蚀装置的刻蚀设备进行刻蚀操作，交替执行刻蚀操作和上述的清洁；S3：刻蚀完成后，吹扫清除晶圆片表面剩余的掩膜层和周围的刻蚀产物，刻蚀装置将刻蚀完成的晶圆片传输到清洁区域；S4：清洁区域位于刻蚀设备的内部，清洁区域的清洁结构对晶圆片进行清理，等到晶圆片被清洁干净后，将晶圆片取出，可以有效进行刻蚀，保障刻蚀的效果，方便晶圆片刻蚀后被清理，晶圆片无需移出装置，减少半导体受到污染的可能性。

本发明授权一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：清洁刻蚀区域的刻蚀产物，将待刻蚀的晶圆片放入刻蚀装置中，晶圆片上形成了掩膜层； S2：使用刻蚀装置的刻蚀设备进行刻蚀操作，交替执行刻蚀操作和上述的清洁； S3：刻蚀完成后，吹扫清除晶圆片表面剩余的掩膜层和周围的刻蚀产物，刻蚀装置将刻蚀完成的晶圆片传输到清洁区域； S4：清洁区域位于刻蚀设备的内部，清洁区域的清洁结构对晶圆片进行清理，等到晶圆片被清洁干净后，将晶圆片取出; 根据上述半导体蚀刻方法，包括支撑底箱1，所述支撑底箱1的顶部螺栓连接有密封罩4，密封罩4的内部一体加工有分隔框5，密封罩4内部的清洁区螺栓连接有清洁设备6，密封罩4内部的左侧设置有刻蚀仓13，分隔框5的内部滑动连接有密封升降门14，支撑底箱1顶部的孔洞转动套接有转轴8，转轴8的底端延伸到支撑底箱1的内部并键连接有蜗轮7，转轴8的顶端键连接有转运盘9，支撑底箱1内部的两侧均螺栓连接有负压罐11，负压罐11与密封罩4连通，支撑底箱1内部的底端螺栓连接有抽气筒10，抽气筒10与两个负压罐11连通，蜗轮7的后侧啮合有减速机构2，抽气筒10的活塞杆螺栓连接有往复机构3； 所述减速机构2包括动力电机21、主动轮22、传动带23、被动轮24和链轮组件，动力电机21的底部与支撑底箱1内部的底端螺栓连接，动力电机21的输出端与主动轮22的轴心处键连接，主动轮22的内部与传动带23内部的底端传动连接，传动带23内部的顶端与被动轮24的内部传动连接，被动轮24与链轮组件键连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州泽达半导体有限公司，其通讯地址为：311225 浙江省杭州市钱塘区河庄街道东围路599号博潮城6幢北一层、二层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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