苏州能讯高能半导体有限公司钱洪途获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211734815.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由钱洪途;吴自力;韩啸设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底一侧制备外延结构；在所述外延结构远离所述衬底的一侧制备栅极和栅极连接结构，所述栅极连接结构与至少部分所述栅极电连接。本发明提供的半导体器件的制备方法，通过制备栅极连接结构，栅极连接结构与至少部分栅极电连接，能够降低栅极电阻的影响并且能够提高增益，减少漏电。
本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底一侧制备外延结构； 在所述外延结构远离所述衬底的一侧制备栅极和栅极连接结构，所述栅极连接结构与至少部分所述栅极电连接； 其中，所述半导体器件包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括漏极以及栅极焊盘； 所述栅极连接结构包括相互连接的第一栅极连接分部和第二栅极连接分部；所述第一栅极连接分部沿第一方向延伸，且包括位于所述无源区的分部以及位于所述有源区的分部，位于所述无源区的所述第一栅极连接分部与栅极焊盘电连接；所述第二栅极连接分部沿第二方向延伸，且沿所述第二方向，所述栅极以及所述漏极之间包括间隙；所述栅极连接结构在所述衬底上的正投影与所述间隙在所述衬底上的正投影不交叠；所述第二方向与所述第一方向位于同一平面且与所述第一方向垂直。
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