买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118398704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410517415.X，技术领域涉及：H10F55/155；该发明授权一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法是由张永爱;陈超;林俊成;苏文娟;林坚普;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，涉及光电显示领域，包括：衬底、半导体缓冲外延层、设置于半导体缓冲外延层上的第一金属接触层和第二金属接触层、设置于半导体缓冲外延层上的LED‑PN结单元、设置于LED‑PN结单元的上层半导体上的第四接触层；其中，第一金属接触层与第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区；第一金属接触层、开口区所对应的半导体缓冲外延层、第二金属接触层构成MSM结构单元；第一金属接触层、开口区所对应的半导体缓冲外延层、第二金属接触层、第一金属层、LED‑PN结单元依次相连用于与外界驱动根据开口区的受光情况而形成电通路。本发明不需要制备额外的制备MSM外延，简化了工艺流程。

本发明授权一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，其特征在于，所述同质集成结构包括： 衬底； 半导体缓冲外延层； 设置于所述半导体缓冲外延层上的第一金属接触层，第二金属接触层；其中，所述第一金属接触层与所述第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区；所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层构成MSM结构单元； 设置于所述半导体缓冲外延层上的LED-PN结单元；所述LED-PN结单元包括下层半导体、上层半导体；且所述下层半导体的台阶面上设置有第三金属接触层，所述第二金属接触层与所述第三金属接触层之间设置有第一金属层电连接；所述第一金属层与所述下层半导体之间设置有第一绝缘层； 设置于所述LED-PN结单元的所述上层半导体上的第四接触层； 其中，所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层、所述第一金属层、所述LED-PN结单元依次相连用于与外界驱动根据所述开口区的受光情况而形成电通路； 所述下层半导体、所述上层半导体分别互斥地为N型半导体层或P型半导体层；其中，当所述上层半导体为P型半导体层时，所述第四接触层为所述同质集成结构的阳极，所述第一金属接触层为所述同质集成结构的阴极；当所述上层半导体为N型半导体层时，所述第四接触层为所述同质集成结构的阴极，所述第一金属接触层为所述同质集成结构的阳极； 所述下层半导体、所述上层半导体分别互斥地为N型氮化镓层或P型氮化镓层，且所述下层半导体、所述上层半导体还设置有量子阱层； 所述上层半导体至所述下层半导体直接的台阶面还设置有第二绝缘层以及第二金属层，所述第二金属层用于遮挡所述LED-PN结单元相对于所述开口区的余光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市金井镇水城路1号福州大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。