西北工业大学吉博文获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118452933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410542987.3，技术领域涉及：A61B5/291；该发明授权一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备方法是由吉博文;尤小丽;张梓墨;薛凯;王炫棋;郭珺;常洪龙设计研发完成，并于2024-05-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备工艺，神经电极包括基底层、导电层、顶部封装层以及导电聚合物PEDOT:PSS涂层；电极点暴露表面内分布有跨界面深孔阵列，贯穿导电层并在基底层内形成盲孔；PEDOT:PSS填充深孔阵列并覆盖电极点暴露表面。深孔阵列像蓄水池一样，储备导电聚合物PEDOT:PSS，具有优异的电荷存储能力和电荷注入能力，为长期进行信号采集和电刺激的神经电极提供了创新方案。本发明突破了神经电极常用表面改性方法，利用贯穿导电层的深孔阵列，在深度方向积累改性材料，能够承受电极点顶面、深孔内涂层材料局部或完全脱落的影响，保持良好的电化学性能，同时结构新颖，工艺简单，有效解决了导电聚合物涂层材料容易脱落失效这一关键难题。
本发明授权一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极，其特征在于：包括基底层、导电层、顶部封装层以及导电聚合物PEDOT:PSS涂层；其中自下而上依次为基底层、导电层、顶部封装层； 所述导电层包括焊盘、导线以及电极点；且电极点以及焊盘通过顶部封装层开窗暴露； 所述电极点的暴露表面内分布有跨界面深孔阵列，深孔贯穿导电层，并在基底层内形成盲孔； 所述导电聚合物PEDOT:PSS涂层填充电极点的深孔阵列并覆盖电极点的暴露表面。
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