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龙图腾网获悉聚灿光电科技股份有限公司申请的专利一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410788099.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法是由朱迪;袁乐;张瑶;赵易设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法，旨在通过创新结构设计和精密制造过程显著提升红光MicroLED的光效。本发明通过在P侧与量子阱发光区间引入AlInPAlGaInP复合限制层以及P型与N型材料交替生长的超晶格结构，有效限制电子外溢，提高载流子复合效率。该外延片结构包括GaAs基底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs欧姆接触层等关键层次。制备方法利用金属有机物气相沉积法，精确控制各层的生长条件。本发明的高光效红光MicroLED外延片适用于高性能显示和照明领域，具有重要的实践价值和广阔的市场前景。

本发明授权一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片，其特征在于，包括： 一个GaAs基底600； 在所述GaAs基底600上生长的一层GaAs缓冲层601； 在所述GaAs缓冲层601上生长的GaInP腐蚀停止层200，采用N型掺杂； 在所述GaInP腐蚀停止层200上生长的N-GaAs欧姆接触层201； 在所述N-GaAs欧姆接触层201上生长的N-AlzGa1-zInP扩展层202； 在所述N-AlzGa1-zInP扩展层202上生长的N-AlInP限制层203； 在所述N-AlInP限制层203上生长的N-AlmGa1-mInP波导层204； 在所述N-AlmGa1-mInP波导层204上生长的多量子阱层205； 在所述多量子阱层205上生长的P-AlnGa1-nInP波导层206； 在所述P-AlnGa1-nInP波导层206上生长的P-AlaGa1-abIn1-bP电子阻挡层207； 在所述P-AlaGa1-abIn1-bP电子阻挡层207上生长的AlInPAlGaInP复合限制层208； 所述AlInPAlGaInP复合限制层208为多个周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包含第一子层和第二子层，每个子层包含AlInP和AlGaInP复合层，AlInP中Al占Al和In总量的原子百分比比AlGaInP中的Al占Al、Ga和In总量的原子百分比高；第一子层通入P型掺杂源，掺杂浓度控制在1-1.2E18；第二子层通入N型掺杂源，掺杂浓度控制在1.2-1.5E18；每个子层的总厚度为共生长5-10组超晶格单元； 在所述AlInPAlGaInP复合限制层208上生长的P-AlxGa1-xyIn1-yP过渡层209； 在所述P-AlxGa1-xyIn1-yP过渡层209上生长的P-GaP扩展层及欧姆接触层210。

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