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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410872166.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法是由董鹏飞;韩乐;周弘;张进成;刘志宏;张苇杭;冯欣设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p‑NiOn‑Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法，解决了现有技术中Ga2O3场效应管导通电阻过大与耐压不足的问题。本发明自下而上包括：漏电极、衬底、凸台结构的外延层、覆盖在外延层台阶上表面以及凸台侧壁的Al2O3层、覆盖在Al2O3层外侧的栅极金属层、覆盖在栅极金属层外侧的SiO2层、源电极，外延层凸出部分表面与源电极之间设有NiO薄膜层，NiO薄膜层与n‑Ga2O3外延层形成异质结。制备步骤有：预处理衬底、制作漏极、刻蚀外延层、淀积Al2O3层与栅极金属层、制作p‑NiOn‑Ga2O3异质结、淀积SiO2层、制作源电极。本发明凭借p‑NiOn‑Ga2O3异质结产生的空穴超注入效应，显著提高器件耐压，大幅降低导通电阻，在大功率、军工等领域应用前景广阔。

本发明授权p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-NiO-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管，自下而上设有：漏电极、衬底、圆形凸台结构的外延层、覆盖在外延层台阶上表面以及凸台侧壁的Al2O3隔离层、覆盖在Al2O3隔离层外侧并在一侧沉积栅极焊盘G的栅极金属层、覆盖在栅极金属层外侧的SiO2隔离层、覆盖器件上表面并在栅极焊盘G部分做出开窗的源电极，凸台结构凸出部分圆心位于器件正中心，其特征在于：所述外延层为n-Ga2O3氧化镓材料外延，外延层凸台顶部的上表面与源电极之间设有p型NiO薄膜层，p型NiO薄膜层与n-Ga2O3外延层形成异质p-n结；所设漏电极、衬底、圆形凸台结构的外延层、p型NiO薄膜层都中心对称，整体构成高耐压、低导通电阻、低功耗的p-NiO-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管。

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