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龙图腾网获悉东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司申请的专利一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410668073.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺是由耿顺富;吴伟;吴含封;祁嘉铭;钟镇峰设计研发完成，并于2024-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及硅片沉积技术领域，具体公开了一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺。包括以下步骤：S1，入炉；S2，氧化铝沉积；S3，氧化铝修复；S4，氧化硅沉积；S5，第一层氮化硅沉积；S6，第二层氮化硅沉积；S7，第三层氮化硅沉积；S8，氮氧化硅沉积；S9，抽真空，通入氮气冲洗回压出管，取出石墨舟；S10，取出石墨舟中的单晶硅片，进行正面镀膜、丝网印刷、烧结、电注入，完成硅片表面沉积工艺。本发明通过氧化铝自我晶格修复，然后通过高温、低压、高流量和高功率电离加强修复氧化铝层，然后建立氧化硅隔层过渡到氮化硅层，让卡点印比例从30％降至0.3％以下，极大的提高的产品的良率。

本发明授权一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺在权利要求书中公布了：1.一种改善背面酸抛高反射率卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1，入炉：单晶硅片先通过三氯氧磷扩散工艺，酸刻蚀，高温退火，再将高温退火后的单晶硅片插入石墨舟，进舟前设置炉管温度为400～440℃，石墨舟进入炉管； S2，氧化铝沉积：设置氧化铝沉积温度为300～350℃，控制炉管内部压力为500～700mTorr，保温2～4min，抽真空至内部压力为10～50mTorr，检查炉管密封性，再次抽真空至内部压力为10～50mTorr，预充笑气2～4slm，控制炉管压力为1000～1200mTorr，再通入三甲基铝进行氧化铝沉积，沉积过程设置笑气6～7slm，射频功率为4000～4300watt，沉积时间为120～140s，占空比为2：100； S3，氧化铝修复：抽真空后，设置温度为380～395℃，通入氨气和笑气，氨气2～3slm，笑气2～3slm，压力为800～1000mTorr，射频功率为6000～8000watt，时间为180～220s，占空比为8：24；设置温度为420～470℃，单独通入笑气，笑气4～6slm，压力为800～1000mTorr，射频功率为6000～8000watt，时间为180～220s，占空比为8：24； S4，氧化硅沉积：设置温度为420～470℃，通入硅烷和笑气，设置射频功率为9300～9400watt，占空比为5：150； S5，第一层氮化硅沉积：设置温度为420～470℃，通入硅烷和氨气，设置射频功率为15000～16000watt，占空比为5：70； S6，第二层氮化硅沉积：设置温度为420～470℃，通入硅烷和氨气，设置射频功率为15000～16000watt，占空比为5：60； S7，第三层氮化硅沉积：设置温度为420～470℃，通入硅烷和氨气，设置射频功率为15000～16000watt，占空比为5：60； S8，氮氧化硅沉积：设置温度为420～470℃，通入硅烷、氨气、笑气，设置射频功率为9360～9370watt，占空比为5：150，沉积时间为40～60s； S9，抽真空至内部压力为10～50mTorr，通入氮气冲洗10～20s，再抽真空至内部压力为10～50mTorr，回压出管，设置温度为425～435℃，取出石墨舟； S10，取出石墨舟中的单晶硅片，进行正面镀膜、丝网印刷、烧结、电注入，完成硅片表面沉积工艺。

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