华虹半导体(无锡)有限公司宋泽凯获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118692885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410781372.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法是由宋泽凯;郭海亮;赵雁雁;王玉新;汪建;姚智设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法。深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，在对当前晶片进行深沟槽刻蚀后，在对后一晶片进行深沟槽刻蚀前，进行所述工作腔处理方法；所述深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法包括以下步骤：在第一压力条件下，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物；在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0W、偏置功率置为0W，向所述工作腔的上极板通氮气；所述第二压力条件的压力小于所述第一压力条件的压力；使得位于所述工作腔底端的抽气泵工作使得所述工作腔中的气体氛围流动，以使得所述氮气流动带走所述工作腔的上极板的温度。
本发明授权深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法，其特征在于，在对当前晶片进行深沟槽刻蚀后，在对后一晶片进行深沟槽刻蚀前，进行所述工作腔处理方法； 所述深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法包括以下步骤： 在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为0W，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物； 在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为100W至300W，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物； 在第一压力条件下，使得所述工作腔的原功率为400W至600W，向工作腔中通入氧气以去除所述工作腔中的聚合物； 在第二压力条件下，使得所述工作腔的原功率置为0W、偏置功率置为0W，向所述工作腔的上极板通氮气；所述第二压力条件的压力小于所述第一压力条件的压力； 使得位于所述工作腔底端的抽气泵工作使得所述工作腔中的气体氛围流动，以使得所述氮气流动带走所述工作腔的上极板的温度。
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