厦门乾照光电股份有限公司潘健获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种反射结构、LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118693212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410887636.6，技术领域涉及：H10H20/856；该发明授权一种反射结构、LED芯片及其制作方法是由潘健;陈帅城;杨德佑;叶玲娜;刘伟设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反射结构、LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：一种反射结构、LED芯片及其制作方法，其中反射结构中保护层至少覆盖反射层在第一方向上的一侧表面能够防止银金属从被覆盖的表面迁移；并且，保护层上设置若干凹槽，反射层嵌入凹槽内增加保护层对反射层的包裹性，能够更好的防止银金属迁移，增加LED芯片的可靠性。LED芯片具有上述的反射结构，且所述反射结构层叠于所述第一型半导体层和或所述第二型半导体层。LED芯片的制作方法用于制作上述的LED芯片。
本发明授权一种反射结构、LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种反射结构，其用于LED芯片中，其特征在于，包括反射层和保护层；所述保护层至少覆盖所述反射层在第一方向上的一侧表面；所述保护层上设有若干开口朝向所述反射层的凹槽；所述反射层嵌入各所述凹槽内，所述第一方向垂直于所述反射层；所述保护层包括顶保护层和底保护层；所述顶保护层和底保护层分别覆盖所述反射层在所述第一方向上的两表面；所述顶保护层和或所述底保护层上设有所述凹槽；在各所述反射结构中，所述顶保护层和所述底保护层共同将所述反射层的四周均包裹。
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