西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学冯欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利集成有热电材料的强散热氧化镓器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118946238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410996356.9，技术领域涉及：H10N19/00；该发明授权集成有热电材料的强散热氧化镓器件及制备方法是由冯欣;周佳俊;张苇杭;吴银河;董鹏飞;周弘;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成有热电材料的强散热氧化镓器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成有热电材料的强散热氧化镓器件，旨解决现有氧化镓器件自热效应严重、可靠性降低、输出功率减小的问题。其技术关键是通过热电效应提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的衬底和传热界面层之间增设依次串联的热电制冷模块，其外围包裹有绝缘支撑材料，其上下表面设置图形化金属电极层，以实现模块之间的隔离，并通过向热电材料上施加电压形成电流，使得衬底一侧的温度显著下降，加快衬底到传热界面层的热传递。对于垂直氧化镓二极管，是在其阴极电极与热界面层之间增设该热电制冷单元，通过施加电压使其产生热电效应，增加阴极电极到热界面层的热传递。本发明能缓解器件自热效应，提高器件的可靠性，可用作微波功率器件和电力电子器件。
本发明授权集成有热电材料的强散热氧化镓器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成有热电材料的强散热Ga2O3金属氧化物半导体场效应管MOSFET，自下而上包括:热沉层1，传热界面层2，衬底4，缓冲层5，沟道层6，介质层7以及位于沟道层和介质层上的金属电极，其特征在于： 所述衬底4与传热界面层2间设有多个依次排列的热电制冷模块3，每个热电制冷模块均包括对称的N型热电材料层和P型热电材料层，其上下表面分别设有图形化的上金属电极层31和下金属电极层32； 所述上金属电极层31的上表面与衬底4下表面设有衬底绝缘层41，以实现热电制冷模块和衬底的电气隔离； 所述每个热电制冷模块3，其外围均包裹有绝缘支撑材料33，以支撑下金属电极层沉积和图形化，并实现每一个热电制冷模块之间的相互隔离。
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