爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119091935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411106708.5，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权半导体存储器装置是由李南宰设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体存储器装置。一种半导体装置包括：在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上延伸的基板；设置在基板的一侧的多个输入输出焊盘；在第一方向上与输入输出焊盘相邻的第一电路；第二电路，其被设置为比第一电路在第一方向上与输入输出焊盘间隔开更远；与第一电路交叠的第一存储器单元阵列；与第二电路交叠的第二存储器单元阵列；与第一存储器单元阵列交叠并且在第二方向上彼此间隔开的多个第一金属源极图案；以及与第二存储器单元阵列交叠并且在第二方向上宽度比各个第一金属源极图案的宽度宽的第二金属源极图案。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 位线； 与所述位线的一部分交叠的公共源极线； 包括多个层间绝缘层和多个导电图案的栅极层叠结构，所述多个层间绝缘层和所述多个导电图案在所述位线与所述公共源极线之间交替地层叠； 设置在所述栅极层叠结构中的沟道结构，其中，该沟道结构延伸以与所述公共源极线直接接触； 设置在所述沟道结构与所述栅极层叠结构之间的存储器图案；以及 包括晶体管的电路组， 其中，所述公共源极线包括硅化物层， 其中，所述硅化物层与所述沟道结构的端部的外表面直接接触， 其中，所述位线和所述栅极层叠结构设置在所述电路组和所述公共源极线之间， 其中，所述沟道结构包括第一端部和第二端部，所述第二端部面向所述电路组，所述第一端部面向与所述第二端部的方向相反的方向，并且 其中，所述沟道结构的所述第一端部包括与所述硅化物层直接接触的所述外表面。
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