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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119096358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480002316.6，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权半导体装置是由今村武司;平子正明;大桥卓史设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1具备：半导体层40；第1纵型MOS晶体管10及第2纵型MOS晶体管20，形成于半导体层40；金属层30，与半导体层40的背面侧整面接触连接；以及支承体42，经由导电性粘接剂41而与金属层30的背面侧接合；在平面观察中，支承体42比半导体层40面积大，并且将半导体层40包含在内；支承体42的厚度比半导体层40的厚度大；在包括平面观察中的半导体层40的中心和半导体层40的外周的、半导体装置1的剖视中，从半导体装置1去除了支承体42及导电性粘接剂41而得的半导体芯片2是向远离支承体42的方向凸的弯曲形状。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体衬底； 低浓度杂质层，形成在上述半导体衬底的表面侧； 第1纵型MOS晶体管，在将上述半导体衬底和上述低浓度杂质层一起作为半导体层的情况下形成在上述半导体层的第1区域； 第2纵型MOS晶体管，在上述半导体层的平面观察中形成在与上述第1区域相邻的第2区域； 上述第1纵型MOS晶体管的第1源极电极，形成在上述半导体层的表面侧； 上述第2纵型MOS晶体管的第2源极电极，形成在上述半导体层的表面侧；以及 支承体，经由导电性粘接剂形成在上述半导体衬底的背面侧； 在上述平面观察中，上述支承体相比于上述半导体层而言面积大，并且将上述半导体层包含在内； 上述支承体的厚度比上述半导体层的厚度大； 在包括上述平面观察中的上述半导体层的中心和上述半导体层的外周的、上述半导体装置的剖视中，在观察上述半导体装置中的除了上述支承体及上述导电性粘接剂以外的半导体芯片时，上述半导体芯片是向远离上述支承体的方向凸的弯曲形状； 在上述平面观察中，上述半导体层是正方形； 在上述平面观察中的上述半导体层的外周处的上述半导体层的正下方的上述导电性粘接剂的厚度小于在上述平面观察中的上述半导体层的中心处的上述半导体层的正下方的上述导电性粘接剂的厚度。

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