清华大学汪家道获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119118051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411237454.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列及其制备方法是由汪家道;马原;张轩鹤;喻博闻设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列及其制备方法。该制备方法包括：在硅晶圆表面形成紧密排列的自组装微球，得到自组装掩膜；采用ICP刻蚀的方式对自组装掩膜进行刻蚀，得到图案化掩膜；采用ICP刻蚀的方式对图案化掩膜进行刻蚀，得到含有掩膜的微纳米针尖阵列；去除掩膜，得到微纳米针尖阵列。本发明能够在高效率、低成本的情况下，制备得到大面积、灵活可调控的高深宽比微纳米针尖阵列。
本发明授权基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列的制备方法，其包括以下步骤： S1：在硅晶圆表面形成紧密排列的自组装微球，得到自组装掩膜； S2：采用ICP刻蚀的方式对所述自组装掩膜进行刻蚀，得到图案化掩膜； S3：采用ICP刻蚀的方式对所述图案化掩膜进行刻蚀，得到含有掩膜的微纳米针尖阵列；其中，采用ICP刻蚀的方式对所述图案化掩膜进行刻蚀的条件包括：上电极功率为100-1500W，下电极功率为5-50W，压强为1-50Pa，以C4F8气体作为钝化气体，以SF6气体作为刻蚀气体，二者交替进行若干次循环；在单次循环中，C4F8气体流量为10-200sccm，钝化时间为5-50s，SF6气体流量为10-200sccm，刻蚀时间为5-50s；所述若干次循环的次数为10-300次； S4：去除所述含有掩膜的微纳米针尖阵列中的掩膜，得到所述基于自组装掩膜的高深宽比微纳米针尖阵列。
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