上海大学张小贝获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种拓扑保护电磁能量合束器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119126268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411410747.4，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种拓扑保护电磁能量合束器是由张小贝;杨勇;张琦设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拓扑保护电磁能量合束器在说明书摘要公布了：本发明提供一种拓扑保护电磁能量合束器，组成部分包括从上而下依次连接的第一覆铜基板、光子晶体群和第二覆铜基板，光子晶体群由多种光子晶体拼接而成，所述光子晶体为正方晶格YIG柱体的矩形阵列，每种光子晶体具有不同的拓扑指标；相邻的光子晶体在边界产生第一方向、第二方向或第三方向无散射的单向传输拓扑边界态。本发明基于拓扑保护的模式正交激发理论，将单向传输无散射的拓扑边界态引入到电磁能量合束中，突破传统电磁能量合束理论中对输入电磁能量源相位关联和偏振自由度的约束，实现任意相位、高效率、宽带宽、可拓展的电磁能量合束器结构设计。
本发明授权一种拓扑保护电磁能量合束器在权利要求书中公布了：1.一种拓扑保护电磁能量合束器，其特征在于，组成部分包括从上而下依次连接的第一覆铜基板、光子晶体群和第二覆铜基板，光子晶体群由3或4种光子晶体拼接而成，所述光子晶体为正方晶格YIG柱体的矩形阵列，每个阵列的YIG柱体具有不同直径，以使每种光子晶体具有不同的拓扑指标，所述拓扑指标为光子晶体带隙之下所有能带的拓扑数之和； 相邻的光子晶体在边界产生第一方向、第二方向或第三方向无散射的单向传输拓扑边界态，且拓扑边界态数目等于边界两侧光子晶体的拓扑指标之差，所述第一方向和第三方向平行，且所述第一方向、第三方向和第二方向相互垂直； 拓扑边界态数目等于1的单向传输拓扑边界态构成输入通道，不同输入通道中边界态相互正交，不发生干涉相消，所述电磁能量合束器性能与输入通道电磁波相位无关； 拓扑边界态数目大于1的拓扑边界态构成输出通道，且所有的输出通道在同一直线上。
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