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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利外延用基座及外延设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411312813.4，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权外延用基座及外延设备是由杜金生;张坤;宋泰甫;张佳缘设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延用基座及外延设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延用基座及外延设备，属于硅片制造技术领域，该外延用基座包括承载部和限位部；限位部包括第一本体和第一凸起，第一本体沿周向方向设置并与承载部连接，第一本体在轴向方向上具有第一基准面，第一凸起与第一基准面连接；其中，第一凸起在周向方向上具有相对的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面与第一基准面连接，并能够自第一基准面朝远离第一本体的方向延伸；第一表面和第二表面之间在周向方向上的距离沿轴向方向减小。本申请通过设置第一凸起以在硅片生长速度较快处阻挡由基座外部沿径向方向吹向硅片的气流，从而使得硅片各处的生长速度更加趋于一致，进而使得硅片在外延后获得更好的平坦度。

本发明授权外延用基座及外延设备在权利要求书中公布了：1.一种外延用基座，其特征在于，包括： 承载部11，所述承载部11具有轴向方向Z和与所述轴向方向Z垂直的径向方向X，以及环绕所述轴向方向Z的周向方向Y，所述承载部11在所述径向方向X上具有边缘111； 限位部12，所述限位部12包括第一本体121和第一凸起122，所述第一本体121沿所述周向方向Y设置并与所述边缘111连接，所述第一本体121在所述轴向方向Z上具有一第一基准面1211，所述第一凸起122与所述第一基准面1211连接；所述第一本体121和所述承载部11共同限定出用于放置硅片2的承载空间123，所述第一凸起122用于阻挡至少部分沿所述径向方向X吹向所述硅片2的气流3； 其中，所述第一凸起122在所述周向方向Y上具有相对的第一表面1221和第二表面1222，所述第一表面1221和所述第二表面1222与所述第一基准面1211连接，并能够自所述第一基准面1211朝远离第一本体121的方向延伸；所述第一表面1221和所述第二表面1222之间在所述周向方向Y上的距离沿所述轴向方向Z减小；所述第一表面1221朝靠近所述第二表面1222的方向凸出，所述第二表面1222朝靠近所述第一表面1221的方向凸出； 所述承载部11包括： 第二本体112，所述第二本体112与所述第一本体121连接，所述第二本体112和所述第一本体121围合成所述承载空间123； 第二凸起113，所述第二凸起113沿所述周向方向Y设置于所述承载空间123，并与所述第二本体112和所述第一本体121连接，所述第二凸起113用于承载硅片2，以使得硅片2与所述第二本体112间隔； 其中，所述第二凸起113具有背离所述第二本体112的第四表面1131，所述第四表面1131用于承载硅片2，所述第四表面1131所在的面与所述第一基准面1211所在的面之间具有夹角α，满足：3.1°≤α≤4.1°； 所述第一本体121还具有第二基准面1212，所述第二基准面1212沿所述轴向方向Z与所述第一基准面1211背离，且所述第一基准面1211与所述第二基准面1212之间在所述轴向方向Z上具有最大距离d1； 所述第二本体112具有远离所述第四表面1131的第三基准面1121，所述第三基准面1121与所述第二基准面1212在所述径向方向X上齐平，且所述第四表面1131与所述第三基准面1121之间在所述轴向方向Z上具有最大距离d2； 满足：0.8mm≤d1-d2≤1.2mm。

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