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龙图腾网获悉长电科技管理有限公司申请的专利晶圆规模封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411361502.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权晶圆规模封装结构及其形成方法是由杨程设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆规模封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶圆规模封装结构及其形成方法，其中所述晶圆规模封装结构，包括：贴装在基板上表面的若干分立的第一芯片模块，第一芯片模块与第一布线层电连接；覆盖第一芯片模块和基板上表面的第一塑封层，第一塑封层露出第一芯片模块的远离基板的表面；贴装在第一塑封层的上表面的第一散热板；贴装在基板下表面的若干分立的第二芯片模块，第二芯片模块与第二布线层电连接；覆盖第二芯片模块和基板下表面的第二塑封层，第二塑封层露出第二芯片模块的远离基板的表面；贴装在第二塑封层的下表面的第二散热板。改善了晶圆规模封装结构的散热问题，提高了晶圆规模封装结构的电学性能。

本发明授权晶圆规模封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆规模封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板包括相对的上表面和下表面，所述上表面具有第一布线层，所述下表面具有第二布线层； 贴装在所述基板上表面的若干分立的第一芯片模块，所述第一芯片模块与所述第一布线层电连接； 覆盖所述第一芯片模块和所述基板上表面的第一塑封层，所述第一塑封层露出所述第一芯片模块的远离所述基板的表面； 贴装在所述第一塑封层的上表面的第一散热板； 贴装在所述基板下表面的若干分立的第二芯片模块，所述第二芯片模块与所述第二布线层电连接； 覆盖所述第二芯片模块和所述基板下表面的第二塑封层，所述第二塑封层露出所述第二芯片模块的远离所述基板的表面； 贴装在所述第二塑封层的下表面的第二散热板，所述第一散热板和所述第二散热板为液冷散热板，所述第一散热板中具有供冷媒流动的第一散热通道，所述第二散热板中具有供冷媒流动的第二散热通道； 第三散热板，所述第三散热板贴装在所述晶圆规模封装结构部分侧面，所述第三散热板与所述第一散热板和所述第二散热板为一体结构，所述第三散热板中具有冷媒流入通道和冷媒流出通道，所述冷媒流入通道分别与所述第一散热通道和第二散热通道的入口端连通，所述冷媒流出通道分别与所述第一散热通道和第二散热通道的出口端连通。

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