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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119231868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411294456.3，技术领域涉及：H02K41/035；该发明授权一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机是由肖勇;朱智军;周民瑞;曾小龙;李永强;郁殿龙设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机，包括定子组件和动子组件，定子组件包括磁轭部分、基本磁路与第一辅助磁路；基本磁路包括若干径向磁化第一内环永磁体与第一外环永磁体，各第一内环永磁体间隔套设在第二磁轭上，各第一外环永磁体间隔设在第一磁轭的内壁上；第一辅助磁路包括若干轴向磁化第二内环永磁体与第二外环永磁体，各第二内环永磁体交替嵌入相邻两第一内环永磁体之间，各第二外环永磁体交替嵌入相邻两第一外环永磁体之间。本发明应用于电机领域，不仅提高线圈所处工作气隙的磁通密度，并且有助于降低磁通密度波动，从而提高音圈电机输出力大小和平稳度。

本发明授权一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机在权利要求书中公布了：1.一种带辅助增强型磁路的高推力密度音圈电机，其特征在于，包括定子组件和动子组件，所述定子组件包括磁轭部分、基本磁路与第一辅助磁路，所述动子组件包括绕组骨架、第一线圈与第二线圈； 所述磁轭部分包括第一磁轭与第二磁轭，所述第一磁轭为一端开口的筒状结构，所述第二磁轭同轴设在所述第一磁轭内； 所述基本磁路包括若干径向磁化且在轴向上平齐的第一内环永磁体与第一外环永磁体，各所述第一内环永磁体沿轴向间隔套设在所述第二磁轭上，各所述第一外环永磁体沿轴向间隔设在第一磁轭的内壁上； 所述第一辅助磁路包括若干轴向磁化且在轴向上平齐的第二内环永磁体与第二外环永磁体，各所述第二内环永磁体交替嵌入相邻两所述第一内环永磁体以及最下方第一内环永磁体与所述第一磁轭的底壁之间的空隙内，各所述第二外环永磁体交替嵌入相邻两所述第一外环永磁体以及最下方第一外环永磁体与所述第一磁轭的底壁之间的空隙内，以用于提高音所述音圈电机的推力密度； 所述第一内环永磁体、所述第一外环永磁体、所述第二内环永磁体、所述第二外环永磁体之间围成气隙，所述绕组骨架设在所述气隙内，所述第一线圈、所述第二线圈沿轴向间隔设在所述绕组骨架上，且所述第一线圈与所述第二线圈的绕线方向相反； 所述定子组件还包括第二辅助磁路，所述第二辅助磁路设在所述第二磁轭上，以用于重塑所述音圈电机的气隙磁场，在不降低推力密度的情况下减少推力波动； 所述第二辅助磁路包括轴向磁化的第一柱形永磁体与第二柱形永磁体； 所述第一柱形永磁体嵌入所述第二磁轭，或所述第一柱形永磁体位于所述第二磁轭的底部与所述第一磁轭之间，且所述第一柱形永磁体的底端与最下方所述第一内环永磁体、所述第一外环永磁体的顶端平齐； 所述第二柱形永磁体嵌入所述第二磁轭，且所述第二柱形永磁体位于所述第一柱形永磁体的上方。

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