武汉大学李照东获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119259395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411352051.0，技术领域涉及：B05D1/00；该发明授权一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具及其制造方法是由李照东;陈超宇;刘胜;梁康;李九龙;姜有全;王丽容设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具的制造方法，通过分子层沉积方式在纳米压印模具结构层沉积聚脲薄膜，使聚脲薄膜均匀共型包覆在纳米压印模具的结构层表面，以此通过聚脲薄膜抵抗纳米压印过程中产生冲击，降低压印模具所受到的冲击力，防止压印过程中模具产生裂纹或断裂等缺陷，增强纳米压印模具抗冲击性，延长纳米压印模具的使用寿命、降低成本。本发明制得的基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具，结构层包覆的聚脲厚度均匀，相比于Si、SiO2或Ni等模具材料具有更强的疏水性，有助于减少模具脱模时与压印胶的粘连，能够确保压印得到的结构或器件的质量和精度。
本发明授权一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备纳米压印模具结构层，将纳米压印模具转移至沉积腔室中； S2、通过载气向沉积腔室内通入二异氰酸酯作为第一前驱体，而后通入清扫气体，清扫多余的第一前驱体； S3、通过载气向腔室内通入二胺类前驱体作为第二前驱体，而后通入清扫气体，清扫多余的第二前驱体及反应副产物； 第一前驱体和第二前驱体在相同载气流量条件下，通入的时间之比为1:1-2:1；单次循环中，第一前驱体的进气时长为200-300s，清扫时间为100-200s，第二前驱体的进气时长为100-300s； S4、循环步骤S2-S36-10次，在结构层表面沉积厚度为3-5nm的聚脲薄膜，即得到一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具。
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