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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法及利用掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119263196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236650.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法及利用掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法是由赵振璇;高志廷;张建刚;陈墨;孙伟杰;冯雅晴设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法及利用掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法在说明书摘要公布了：本发明公开利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法，包括以下步骤：a、硅基板预处理；b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶，软烘、静置后，曝光、显影、定影，后烘，在硅基板上形成所需图案；c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗，得掩膜板。同时提供利用该掩膜板制备钙钛矿阵列图形的方法。本发明采取干法刻蚀制备钙钛矿陈列图形，利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，工艺简单，反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本，为钙钛矿阵列图形化方案提出了新的工艺策略，降低侧腐，提升图形化精准度，适用于微米级图形刻蚀。

本发明授权利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法及利用掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法在权利要求书中公布了：1.利用深硅刻蚀技术制得的掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1制备卤化物钙钛矿薄膜； 2干法刻蚀阵列图形：在步骤1的卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板，掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应，利用反应离子刻蚀技术和电感耦合等离子刻蚀技术分别进行刻蚀后，取下掩膜板，形成卤化物钙钛矿薄膜阵列图形； 步骤2中，利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法，包括以下步骤： a、硅基板预处理； b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶，软烘、静置后，曝光、显影、后烘，在硅基板上形成所需图案； c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗，得掩膜板； 步骤2中，掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板和第二掩膜板组合形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应；反应离子刻蚀技术采用反应离子刻蚀系统，电感耦合等离子刻蚀技术采用感应耦合等离子体刻蚀系统； 步骤2中，刻蚀方法包括以下步骤： a、先在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖第一掩膜板，较位固定后，置于反应离子刻蚀系统的反应腔中，真空条件下进行刻蚀后，取出卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板； b、将卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板置于感应耦合等离子体刻蚀系统的快速进样腔，真空环境下，将卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板传输至刻蚀腔体中，进行刻蚀，刻蚀完毕，卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板传送回快速进样腔，取出，卸下第一掩膜板； c、再在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖第二掩膜板，较位固定后，再依次置于反应离子刻蚀系统的反应腔和感应耦合等离子体刻蚀系统的刻蚀腔体中，进行刻蚀，刻蚀完毕，卤化物钙钛矿薄膜和第二掩膜板传送回快速进样腔，取出，卸下第二掩膜板即可。

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