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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119263198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236654.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法是由赵振璇;高志廷;张建刚;王爽;王晨露设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法，本发明干法刻蚀刻蚀方阵图形化的掩膜板及方法，规避了光刻胶或极性溶剂等使用，提升了MEMS工艺包容性，使更多性能优越的新型薄膜可以应用在微电子器件中；利用本发明版图刻蚀法制作的阵列图形，可以兼容在任何MEMS制造工厂中，基板与掩膜的对位标可兼容在第一层电路布线工艺中，节约制造成本。

本发明授权一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板，其特征在于，所述刻蚀方阵阵列图形的刻蚀方阵阵列点数为N*N，点阵大小为a*a的正方形，分辨率为b； 所述掩膜板包括第一层版图和第二层版图两层版图； 所述第一层版图，用于制作各种用途的对位标及功能薄膜的下层电路，包括： 1功能薄膜与电路区域，和空白区域，所述空白区域为绘制电路其他引线和Pad的版图区域，所述功能薄膜与电路区域是以版图中心0，0为中心的正方形，边长为N*b； 2所述功能薄膜与电路区域外四角摆放刻蚀阵列的对位标，对位标中心位置距离版图中心位置0，0为c，其中cNb212，版图中心与四个对位标中心的相邻连线夹角为90º，刻蚀对位标层级结构从百微米级十字形至几微米级十字形； 3设置在第一层版图四角的对位标，用于掩膜板与基片间对位，该对位标为十字形结构，多精度层级设计，十字形大小从千微米级至微米级，下一层级放置于上一层级四角空白位置； 所述第二层版图用于制作刻蚀用掩膜板，包括： 4包括镂空区域和掩膜区域，所述镂空区域对应于第一层版图的功能薄膜与电路区域，所述掩膜区域对应于第一层版图的空白区域；所述镂空区域为刻蚀掩膜区域版图：刻蚀掩膜区域版图为栅状条纹结构，其中每根条纹长度为N*b，宽度为a，共N条，N条条纹中心为版图中心0，0； 5刻蚀掩膜区域四角摆放刻蚀阵列的刻蚀对位标，与第一层版图刻蚀对位标一致，用于掩膜板刻蚀区域与基板之间位置校对； 6四角对位标：与第一层版图的四角对位标一致，用于掩膜板与基板直接位置对位。

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