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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板及利用其制备阵列点矩阵图形的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236655.9，技术领域涉及：G03F1/80；该发明授权一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板及利用其制备阵列点矩阵图形的方法是由赵振璇;高志廷;张建刚;张丽萍;王爽设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板及利用其制备阵列点矩阵图形的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板，并利用利用其制备阵列点矩阵图形的方法。本发明首次提出了一种干法刻蚀矩形阵列点矩阵阵列点图形化的掩膜板及方法；规避了光刻胶或极性溶剂等使用，提升了MEMS工艺包容性，使更多性能优越的新型薄膜可以应用在微电子器件中；利用本发明版图刻蚀法制作的阵列图形，可以兼容在任何MEMS制造工厂中，基板与掩膜的对位标可兼容在第一层电路布线工艺中，节约制造成本。

本发明授权一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板及利用其制备阵列点矩阵图形的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板，其特征在于，所述矩形阵列点矩阵的阵列点数为N*M，点阵大小为a*b的正方形，列分辨率为c，行分辨率为d； 所述掩膜板包括第一层版图、第二层版图和第三层版图； 所述第一层版图，用于制作各种用途的对位标及功能薄膜的下层电路，包括： 1位于版图中心的薄膜和电路区域和位于版图外围的空白区域，所述空白区域为电路其他引线和Pad的版图绘制区域；所述薄膜和电路区域是以版图中心0，0为中心的矩形，边长为N*c，宽为M*d； 2所述薄膜和电路区域外四角设置第一刻蚀对位标； 3所述第一层版图的空白区域的四角设置第一对位标，用于掩膜板与基板间的对位；所述第二层版图用于制作刻蚀用掩膜板，包括： 4与第一层版图的薄膜和电路区域相对应的第二镂空区域，和与第一层版图的空白区域相对应的第二掩膜区域，所述第二镂空区域为刻蚀掩膜区域，呈栅状条纹结构，其中每根条纹长度为N*c，宽度为b的矩形，共M条，M条条纹组成的矩形中心为版图中心0，0； 5所述第二镂空区域的四角设置第二刻蚀对位标，用于掩膜板刻蚀区域与基板之间位置校对，且与第一层版图的第一刻蚀对位标相一致； 6所述第二镂空区域设置与第一对位标相对应的第二对位标，用于掩膜板与基板接触位置对位； 所述第三层版图，用于制作刻蚀用掩膜板，包括： 7与第一层版图的薄膜和电路区域相对应的第三镂空区域，和与第一层版图的空白区域相对应的第三掩膜区域；所述第三镂空区域为刻蚀掩膜区域，呈栅状条纹结构，且与第二层版图刻蚀掩膜区域版图的栅状条纹结构垂直设置，其中，每根条纹长度M*d，宽度为a的矩形，共N条，N条条纹组成矩形中心为版图中心0，0； 8所述第三镂空区域的四角设置第三刻蚀对位标，第三刻蚀对位标用于掩膜板刻蚀区域与基板之间的位置校对，且与第一层版图的第一刻蚀对位标一致； 9所述第三层版图的掩膜区域设置第三对位标：用于掩膜板与基板接触位置对位，与第一层版图的第一对位标相对应。

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